真空涨落首次增强超导：暗腔调控使NbSe₂临界温度提升5.4%

来源： Nature

中科大与MIT等团队利用太赫兹开口环谐振器暗腔增强真空涨落，将NbSe₂超导临界温度提高5.4%，并增强临界电流和磁场。理论揭示超导态与暗腔间虚光子交换降低能量，产生共振增强效应。该工作首次实现真空涨落对宏观量子态的非接触调控，为“真空电子学”及量子态调控开辟新途径。