碳化硅晶体管实现600°C高温晶圆级量产

来源：京都大学

京都大学团队与Phenitec半导体公司合作，将碳化硅JFET从芯片级推进至6英寸晶圆级量产，器件可在600°C下工作，阈值电压标准差小于0.07伏，均匀性达技术里程碑。该突破有望推动喷气发动机传感器、地热开发乃至金星探测等极端环境集成电路应用。