新型转移键合技术实现超10层超薄芯片堆叠

来源： Results in Engineering

POSTECH团队将转移印刷与原位键结合并，在低温低压下成功堆叠超过10层、厚度仅14微米的硅芯片，层间对准误差极小且翘曲受控。该工艺实现的集成密度约为商用12层HBM的4倍，有望大幅提升AI半导体性能，并适用于芯粒异构集成和Micro-LED等领域。